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英特爾18A制程搶單臺積電，瞄準英偉達和博通

  • 臺積電為全球晶圓代工龍頭，追兵英特爾來勢洶洶，瑞銀分析師Timothy Arcuri最新報告指出，英特爾在新任執(zhí)行長陳立武帶領(lǐng)下，著重發(fā)展半導(dǎo)體設(shè)計與代工能力，正積極爭取英偉達與博通下單18A制程。Timothy Arcuri表示，英偉達比博通更有機會下單英特爾晶圓代工，可能用于游戲產(chǎn)品，但效能與功耗仍是英偉達考慮的重點。 另一方面，英特爾透過改善先進封裝技術(shù)，縮小與臺積電的差距，英特爾EMIB接近臺積電的CoWoS-L希望能吸引以英偉達為首的大客戶支持。此外，英特爾與聯(lián)電的合作相當(dāng)順利，最快可能在202
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Pat Gelsinger告誡陳立武“華爾街的短期主義”

  • Pat Gelsinger 于 2021 年成為英特爾首席執(zhí)行官，旨在扭轉(zhuǎn)公司局面，并在幾年內(nèi)重新獲得工藝技術(shù)和產(chǎn)品領(lǐng)導(dǎo)地位。他在 2024 年底工作完成之前就被趕下臺了，但他仍然強烈支持公司的使命，因此他希望看到新任首席執(zhí)行官 Lip-Bu Tan 完成他開始的工作，他在接受 CNBC 采訪時說?！拔以铝τ诓⑾Ｍ瓿申P(guān)于英特爾振興的故事，并與董事會、公司一起，現(xiàn)在在 Lip-Bu 的領(lǐng)導(dǎo)下，你們真的在為他們完成振興而歡呼，因為英特爾在半導(dǎo)體行業(yè)中發(fā)揮的作用至關(guān)重
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Intel新掌門陳立武上任首秀，VISION大會即將開啟

  • 2025 年 3 月 23 日，全球半導(dǎo)體巨頭 Intel 宣布，新任首席執(zhí)行官陳立武（Patrick Gelsinger）將于 3 月 31 日北京時間 18:00-18:45，在圣克拉拉總部舉行的年度 VISION 大會發(fā)表主題演講。這將是這位行業(yè)資深領(lǐng)袖自 2025 年 2 月正式履新以來，首次面向全球行業(yè)伙伴、投資者及媒體的公開戰(zhàn)略闡述。作為 Intel 年度戰(zhàn)略溝通平臺，VISION 大會（3 月 31 日 - 4 月 1 日）的議程調(diào)整備受矚目。值得關(guān)注的是，在年初發(fā)布的會議預(yù)告中，主講人原為
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Intel首批18A工藝晶圓投產(chǎn)，大批量生產(chǎn)可能比預(yù)期更早

  • Intel新CEO陳立武上任之際，Intel工廠傳出了捷報，位于亞利桑那州的新晶圓廠的Intel 18A工藝開始初始批量生成，新工藝的量產(chǎn)計劃有望提早實現(xiàn)。Intel工程經(jīng)理Pankaj Marria在LinkedIn的帖子中以“雄鷹已著陸”為喻，強調(diào)這一節(jié)點開發(fā)是先進制程研發(fā)的重要里程碑。從中我們了解到Intel 18A節(jié)點已開始批量生產(chǎn)首批晶圓，供客戶進行測試與評估。這標志著英特爾18A節(jié)點的工藝設(shè)計套件（PDK）正式進入1.0版本，客戶已開始利用該套件進行定制芯片的測試。Intel 18
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即使18A得到提升，英特爾也會繼續(xù)使用臺積電的服務(wù)

  • 盡管英特爾希望減少對臺積電制造服務(wù)的使用，但該公司將在可預(yù)見的未來繼續(xù)從這家總部位于中國臺灣的代工廠訂購芯片，一位高級管理人員昨天在一次技術(shù)會議上表示。英特爾的宏偉計劃是在英特爾代工內(nèi)部生產(chǎn)盡可能多的產(chǎn)品，但由于這可能不是最佳策略，它目前正在評估其產(chǎn)品的百分比應(yīng)該在臺積電生產(chǎn)?！拔艺J為一年前我們在談?wù)摫M快將[TSMC的使用量]降至零，但這已經(jīng)不是策略了，”英特爾企業(yè)規(guī)劃和投資者關(guān)系副總裁John Pitzer在摩根士丹利技術(shù)、媒體和電信會議上說。“我們認為，至少與臺積電合作的一些晶圓總是好的。他們是一個很
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Intel發(fā)布兩款高性能以太網(wǎng)卡：最高可達20萬兆 支持后量子加密

  • 2月25日消息，為了配合新發(fā)布的至強6000P系列處理器，Intel同步推出了兩款高性能的以太網(wǎng)卡，分別是E830、E610。Intel E830以太網(wǎng)卡面向虛擬化企業(yè)、云、電信、邊緣環(huán)境中嚴苛的工作負載，可以在PCIe 5.0總線上實現(xiàn)高達200GbE(20萬兆)的速率，帶寬兩倍于上代。針對不同企業(yè)對性能、成本的不同需求，Intel E830提供多種端口配置，包括單個200GbE、兩個100/50/25/10GbE、八個25/10GbE等等，首發(fā)的是兩個25GbE。新網(wǎng)卡支持精確時間測量（PTM）、15
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計劃上半年流片，英特爾18A制程準備就緒

  • 近日，英特爾宣布，其18A制程節(jié)點（1.8納米）已經(jīng)準備就緒，并計劃在今年上半年開始設(shè)計定案。該制程將導(dǎo)入多項先進半導(dǎo)體技術(shù)。18A制程相較于英特爾3nm制程，可將芯片密度提升30%，并提高每瓦性能約15%。英特爾計劃將18A制程應(yīng)用于即將推出的Panther Lake筆電處理器與Clearwater Forest服務(wù)器CPU，這兩款產(chǎn)品預(yù)計將于年底前上市。18A制程的一大突破是PowerVia背面供電技術(shù)。該技術(shù)透過將粗間距金屬層與凸塊移至芯片背面，并采用納米級硅穿孔（through-silicon
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英特爾18A節(jié)點SRAM密度與臺積電持平 背面功率傳輸是一大優(yōu)勢

  • 英特爾在國際固態(tài)電路會議 (ISSCC) 上公布了半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的一些有趣進展，展示了備受期待的英特爾 18A 工藝技術(shù)的功能。演示重點介紹了 SRAM 位單元密度的顯著改進。PowerVia 系統(tǒng)與 RibbonFET (GAA) 晶體管相結(jié)合，是英特爾節(jié)點的核心。該公司展示了其高性能 SRAM 單元的堅實進展，實現(xiàn)了從英特爾 3 的 0.03 μm2 減小到英特爾 18A 的 0.023 μm2。高密度單元也顯示出類似的改進，縮小到 0.021 μm2。這些進步分別代表了 0.77 和
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英特爾宣布首款I(lǐng)ntel 18A芯片下半年發(fā)布

  • 在CES 2025上的處理器大廠英特爾演講中，英特爾臨時聯(lián)合執(zhí)行長Michelle Johnston宣布，首款I(lǐng)ntel 18A節(jié)點制程芯片，也就是英特爾Panther Lake處理器將于2025年下半年發(fā)表。演講中，Johnston還展示了 Panther Lake 芯片的樣品，并表示芯片已經(jīng)在測試中，她對 intel 18A 節(jié)點制程的成果非常滿意。Johnston宣布Intel 18A節(jié)點制程將于2025年晚些時候發(fā)表。 她強調(diào)，英特爾會在2025年及以后繼續(xù)增強AI PC產(chǎn)品組合，向客戶提供領(lǐng)先的
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Nvidia、Intel 和 AMD 在 2025 年需要關(guān)注的重點

  • 在未來一年的理想狀況下，每家巨頭應(yīng)當(dāng)關(guān)注的重點有哪些？
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Supermicro將推出基于Intel技術(shù)、全新高性能X14服務(wù)器，適用于AI、高性能計算與關(guān)鍵型企業(yè)工作負載

  • Supermicro, Inc. 作為AI/ML、高性能計算、云端、存儲和5G/邊緣領(lǐng)域的全方位IT解決方案提供企業(yè)，預(yù)告將推出全新設(shè)計的X14服務(wù)器平臺，并將通過新一代技術(shù)，使計算密集型工作負載與應(yīng)用程序的性能進一步優(yōu)化。繼Supermicro于2024年6月推出的效率優(yōu)化X14服務(wù)器獲得了成功，新型系統(tǒng)以該系列服務(wù)器為基礎(chǔ)進行全面重大升級，在單一節(jié)點中空前地支持256個性能核（P-Core），以及最高8800MT/s的MRDIMM內(nèi)存，并與新一代SXM、OAM和PCIe GPU兼容。此項組合可顯著加速
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最新進展——Intel 18A產(chǎn)品，成功點亮！

  • Intel 18A芯片現(xiàn)已上電運行，并順利啟動操作系統(tǒng)，將用于明年推出的新一代客戶端和服務(wù)器產(chǎn)品。外部客戶產(chǎn)品將于明年上半年完成流片。英特爾宣布，基于Intel 18A制程節(jié)點打造的首批產(chǎn)品——AI PC客戶端處理器Panther Lake和服務(wù)器處理器Clearwater Forest，其樣片現(xiàn)已出廠、上電運行并順利啟動操作系統(tǒng)。距離流片僅隔不到兩個季度，英特爾便再次取得了突破性進展。目前，Panther Lake和Clearwater Forest均進展順利，預(yù)計將于2025年開始量產(chǎn)。此外，英特爾還
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價值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機

  • 8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設(shè)備之一，其分辨率達到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實現(xiàn)2nm以下先進制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設(shè)備即將進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠，預(yù)計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產(chǎn)。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
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首發(fā)18A工藝！Intel第三代酷睿Ultra Panther Lake已點亮 明年見

  • 8月7日消息，Intel即將發(fā)布第二代酷睿Ultra處理器，包括低功耗的Lunar Lake(9月4日0點)、高性能的Arrow Lake(10月K系列其他明年CES)，現(xiàn)在又公布了后續(xù)第三代酷睿Ultra Lunar Lake。Intel官方宣布，Intel 18A(1.8nm級別)制造工藝、Panther Lake酷睿處理器、Clearwater Forest至強處理器(或為至強7)都已經(jīng)走出實驗室，成功點亮，并進入操作系統(tǒng)！其中，Panther Lake搭配的內(nèi)存已經(jīng)可以運行在設(shè)定的頻率上，顯示性能
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SEMI日本總裁稱先進封裝應(yīng)統(tǒng)一：臺積電、三星、Intel三巨頭誰會答應(yīng)

  • 7月28日消息，SEMI日本辦事處總裁Jim Hamajima近日呼吁業(yè)界盡早統(tǒng)一封測技術(shù)標準，尤其是先進封裝領(lǐng)域。他認為，當(dāng)前臺積電、三星和Intel等芯片巨頭各自為戰(zhàn)，使用不同的封裝標準，這不僅影響了生產(chǎn)效率，也可能對行業(yè)利潤水平造成影響。目前僅臺積電、三星和Intel三家公司在先進制程芯片制造領(lǐng)域競爭，同時隨著芯片朝著高集成度、小特征尺寸和高I/O方向發(fā)展，對封裝技術(shù)提出了更高的要求。目前，先進封裝技術(shù)以倒裝芯片（Flip-Chip）為主，3D堆疊和嵌入式基板封裝（ED）的增長速度也非?？?。HBM內(nèi)
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